Оборудование плазменная резка

Купить диплом автомеханика источник.

Транзисторы

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Биполярные транзисторы работают на основе использования носителей обоих знаков — электронов и дырок, вследствие чего они и получили название "биполярные".

В зависимости от чередования типов областей полупроводников структура биполярного транзистора сможет быть р-n-р или n-р-n. В историческом плане вначале наибольшее распространение имели р-n-р транзисторы, потому что технологию их производства было легче освоить. Принцип действия транзисторов обоих типов одинаков.

Изготавливается транзистор из одного монокристалла, в котором две крайние области с однотипной проводимостью разделены областью противоположной проводимости.

На границе областей сплавной технологией получают два р-n перехода — эмиттерный и коллекторный. Чаще всего переходы изготавливаются несимметричными по своей конструкции, т. е. с неодинаковыми геометрическими размерами.

Переход с меньшей площадью имеет приграничный слой полупроводника р-типа с большей концентрацией примесей (легирован сильнее), чем приграничный слой полупроводника р-типа со стороны перехода большей площади. Полупроводник с большей концентрацией примесей обычно обозначают р+. Средний слой называется базой, крайний сильно легированный — эмиттером, а слой с большей площадью — коллектором. Части поверхностей эмиттера, базы и коллектора покрываются металлическими пленками. К этим пленкам сваркой или пайкой прикрепляются внешние выводы. Сам кристалл крепится на кристаллодержателе и помещается в герметизированный металлический корпус, а выводы через изоляторы выводятся наружу.

Реже изготавливается биполярный транзистор симметричной конструкции.

Симметричный транзистор сохраняет свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера и коллектора. Конструкция биполярного транзистора, изготовленного по диффузионной технологии с точечными р-n переходами, не отличается от конструкции сплавного транзистора, однако электрические параметры его существенно отличаются вследствие малых токов и емкости переходов.

Кроме сплавной и диффузионной технологий при изготовлении биполярных транзисторов применяется планарно-эпитаксиальная технология, позволяющая получить транзисторы с малыми отклонениями значений электрических параметров.

Поскольку принцип действия всех типов биполярных транзисторов основан на взаимодействии р-n переходов, то понятно, что это взаимодействие будет тем сильнее, чем меньше расстояние между ними. Поэтому биполярные транзисторы изготавливаются с толщиной базовой области, определяющей расстояние между переходами, не более 1 мкм.

Электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора называется эмиттерным переходом, а между базовой и коллекторной областями — коллекторным переходом.

Ictop.ru © 2009
Rambler's Top100